{"product_id":"ieej-zt194121","title":"LLC方式DC-DCコンバータにおけるSiMOSFET およびGaNHEMTのZVS動作の比較検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-121\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2019\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eComparison of ZVS operation of SiMOSFET and GaNHEMT in LLC DC-DCconverter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e荒井 洋壽(東京電機大学),枡川 重男(東京電機大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHirotoshi\/ Arai(Tokyo Denki University),shigeo Masukawa(Tokyo Denki University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaNHEMT,DCDCコンバータ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，従来のSiよりも優れたデバイス特性を持つ次世代パワー半導体が注目されている。その中でもGaNを用いた次世代パワー半導体であるGaNHEMTは高周波駆動が可能で低損失なデバイス特性を示している。しかし，GaNデバイスは新しいパワー半導体であるため，様々な応用回路を検討する必要がある。 そこで，本論文では高効率のDC-DCコンバータとして広く用いられている，LLC方式共振型DC-DCコンバータのスイッチング素子としてGaNHEMTとSiMOSFETを比較し，GaNHMTの導入検討を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e689 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401748402415,"sku":"IEEJ-ZT194121-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_83b19f44-e355-43e4-8646-77374e782733.png?v=1744953997","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt194121","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}