{"product_id":"ieej-zt20204-016","title":"低電圧MOSFET用アクティブゲートドライバの動作検証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-016\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和2年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2020\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eExperimental verification of active gate driver for low voltage MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e野下裕市（九州大学）,鄧明聡（東京農工大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuichi Noge (Kyusyu University),Mingcong Deng\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート駆動回路|ゲートクドウカイロ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年，低電圧MOSFETの性能向上により，データセンターや車載に向けた48 V電力変換システムの実用化が進展している。これらのシステムを高効率化するために，スイッチング損失の低減が大きな課題となる。大容量IGBT用の電圧・電流帰還型アクティブゲートドライバ(AGD)回路(1)が提案されている。筆者らはこの中の電流帰還回路のみを利用して大容量SiC-MOSFETモジュールに適用し，効果を検討してきた(2)。本論文では同様のAGD回路を低電圧Si-MOSFETに適用し，スイッチング動作特性を実験検証したので報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e27-28 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46402140209391,"sku":"IEEJ-ZT20204-016-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_7584527b-6f5d-45e9-a1ce-f34bc06892da.png?v=1744974372","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20204-016","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}