{"product_id":"ieej-zt20213-134","title":"TOIウェハを用いた表面マイクロマシニング","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e3-134\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSurface micromachining using a Titanium-On-Insulator wafer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e長谷川穂高（新潟大学）,守屋赳利（新潟大学）,土田和弥（新潟大学）,寒川雅之（新潟大学）,安部隆（新潟大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHodaka Hasegawa (Niigata University),Taketoshi Moriya (Niigata University),Kazuya Tsuchida (Niigata University),Masayuki Sohgawa (Niigata University),Takashi Abe (Niigata University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eチタン|犠牲層エッチング|構造|MEMS|PDMS|titanium|sacrificial layer etching|structure|MEMS|PDMS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では、TiとTiを柔軟な材料であるPDMSを介して接合した基板(TOI、Titanium-On-Insulator)を用いて、PDMS層の犠牲層エッチングを行った。TOIウェハはSOI（Sillicon-On-Insulator）ウェハに対応するもので、耐衝撃性を有しながらフレキシブルであるSOIウェハにない特徴を有する。エッチャントにはNMPを溶媒とした25％のTBAF溶液を使用した。\nTOIウェハのエッチングの結果、エッチャントが非プロトン性であるため、PDMSのみを選択的に除去し、Tiを腐食し\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e373 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401993736431,"sku":"IEEJ-ZT20213-134-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e9752097-7e3f-41c1-8969-22f61684c153.png?v=1744966962","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20213-134","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}