{"product_id":"ieej-zt20214-001","title":"SiC-MOSFET, GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-001\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of Universal Device Model for SiC-MOSFET and GaN-HEMT device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中嶋純一（三菱電機）,堀口剛司（三菱電機）,浦壁隆浩（東京工業大学）,萩原誠（東京工業大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eJunichi Nakashima (Mitsubishi Electric),Takeshi Horiguchi (Mitsubishi Electric),Takahiro Urakabe (Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eデバイスモデル|シリコンカーバイド|酸化ガリウム|device model|SiC|GaN\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e近年、省エネルギー化・高密度化のため、電力変換装置へのSiCデバイスやGaNデバイスの適用が進んでおり、電力変換回路設計のフロントローディング化に向けた回路シミュレーション用デバイスモデルのニーズが高まっている。特に、デバイス品種の増大により、デバイスモデルの開発加速化が重要である。そこで、汎用性と開発加速を目指したユニバーサルデバイスモデルの開発を行っている。本報告では、定格電流・電圧、パッケージ形態が異なるSiC-MOSFETとGaN-HEMTを対象としたユニバーサルデバイスモデルの順方向特性について\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e574 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401957560559,"sku":"IEEJ-ZT20214-001-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_af8d3c24-9e8b-4265-a3a7-0f0986664085.png?v=1744963876","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-001","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}