{"product_id":"ieej-zt20214-002","title":"SiC-遮蔽グリッドVJFETのシミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-002\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevice Simulation of SiC Screen Grid Vertical JFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小林聖尚（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKiyotaka Kobayashi (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|接合型FET|ワイドバンドギャップ|デバイスシミュレーション|SiC|JFET|Wide bandgap|Device Simulation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-遮蔽グリッド縦型接合電界効果トランジスタ(SiC-SGVJFET)はゲート・ドレイン電極間にp型の遮蔽グリッド(Screen grid : SG)を設置し，帰還容量Crssを低減し，VJFETのスイッチング性能を改善できる．本研究では，シミュレーションによりSGVJFETの効果を解析し，スイッチング時にゲート端子及びSG端子での電流波形を調査した結果，SGが無い埋込ゲート静電誘導トランジスタ(BGSIT)と比較してゲート及びSGの両端子でのゲート・ドレイン間に存在する空乏層容量の短時間の充放電が実\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e491 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401961558255,"sku":"IEEJ-ZT20214-002-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2098732e-f5bc-4df9-9d10-3211995f6a63.png?v=1744964261","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-002","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}