{"product_id":"ieej-zt20214-007","title":"SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-007\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on Thermal Resistance Reduction by Ag-sintered Die Attach for SiC Power Semiconductor Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋将太（大阪大学）,杉原英治（大阪大学）,福永崇平（京都大学）,舟木剛（大阪大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShota Takahashi (Osaka University),Hideharu Sugihara (Osaka University),Shuhei Fukunaga (Kyoto University),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e焼結銀|加圧焼結|構造関数|シャー強度|Ag-sintered|press-sintered|structure function|shear strength\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高温動作が期待されるパワー半導体デバイスのダイボンド材料として、銀ナノペーストに着目し、SiC-SBD(3mm×3mm)を銅基板へ焼結実装する際の実装条件(加圧力、加熱条件)が接合強度に与える影響について検討した。チップ裏面、基板の表面加工は行わず、大気雰囲気下で実装を行った。シャー強度試験において、加圧焼結実装の場合、加圧力10MPa、実装開始時温度200℃の条件ではんだ(Sn-Ag-Cu)実装と同等の接合強度が得られた。また、実装したSiC-SBDの過渡熱抵抗を評価し、従来のはんだと比較し\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e802 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401992851695,"sku":"IEEJ-ZT20214-007-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_deb2289b-5b4e-4250-8b3e-a544646a9e0a.png?v=1744966857","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-007","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}