{"product_id":"ieej-zt20214-095","title":"SiC-MOSFETによる10MHz昇圧チョッパの検証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-095\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eVerification of a 10MHz boost chopper using SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高久佳雅（金沢工業大学）,吉田勇人（金沢工業大学）,中田修平（金沢工業大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakaku Yoshimasa (Kanazawa Institute of Technology),Hayato Yoshida (Kanazawa Institute of Technology),Shuhei Nakata (Kanazawa Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFET|DC-DCコンバータ|高周波スイッチング|SiC-MOSFET|DC-DC Converter|High frequency switching\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFETは高いゲート電圧が必要なため高周波動作の研究例は数少ない。そこで本稿ではSiC-MOSFETによる 10MHz昇圧チョッパについて検証したので結果について報告する。\nGaN-HEMTを用いたSiC-MOSFET向けゲートドライバを試作し、+15V\/-5Vでの10MHzのゲート駆動と4nsのゲート電圧の立上り、立下りを実現した。これを電流不連続モードの昇圧チョッパに適用した。ドレイン電圧の立ち上り時間は4.7ns、ドレイン電流の立下り時間は6.2nsであり、出力電力775W、10MHzス\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e741 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401992261871,"sku":"IEEJ-ZT20214-095-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bac82306-9e47-429d-be48-88e91fb5e2ff.png?v=1744966794","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-095","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}