{"product_id":"ieej-zt20214-096","title":"SiC-MOSFETを用いた200kW-440kHz高周波誘導加熱電源の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-096\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of 200kW-440kHz Induction Heating Power Supply with SiC-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e吉田春樹（高周波熱錬）,金井隆彦（高周波熱錬）,三阪佳孝（高周波熱錬）,李建徳（HISEN）,舟木剛（大阪大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHaruki Yosida (NETUREN CO.,LTD.),Takahiko kanai (NETUREN CO.,LTD.),Yoshitaka Misaka (NETUREN CO.,LTD.),KenC.T.Lee (HISEN ENTERPRISES CO.,LTD.),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高周波誘導加熱電源|SiC-MOSFET|寄生インダクタンス|2in1モジュール|Induction Heating Power Supply|SiC-MOSFET|Leakage inductance|2in1 module\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e2in1のSiC-MOSFETモジュールを使用し、400kHz級の誘導加熱電源を製作する場合にはモジュール内の寄生インダクタンス（Ls）の大きさが問題となってくる。Lsが大きいと素子オフ時のサージ電圧が高くなり、モジュール端子電圧とSiCチップ電圧との乖離が大きくなるからである。\nこのLsの評価を電源の動作に合致した方法で行い、高周波で大容量の誘導加熱電源を開発した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e519 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401953562863,"sku":"IEEJ-ZT20214-096-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3647206a-14b4-4063-8fb4-08b4b70cc718.png?v=1744963519","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-096","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}