{"product_id":"ieej-zt20214-099","title":"SiC-MOSFET直列接続時における電圧バランス回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-099\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe voltage balance circuit for SiC-MOSFET series connection\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松下晃久（東芝インフラシステムズ）,葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）,餅川宏（東芝インフラシステムズ）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAkihisa Matsushita,Atsuhiko Kuzumaki,Hiroshi Mochikawa\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e直列接続|SiC|MOSFET|series connection|SiC|MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSiC-MOSFETを直列に接続すると，素子特性のばらつきにより直流電圧やターンオフのサージ電圧などに電圧アンバランスが発生するため，素子特性を十分に活用できない。これに対して，簡易な受動回路によるバランス回路を提案する。3.3kVのSiC-MOSFETを用いた2直列での試験を実施し，ターンオフ時のサージ電圧について，バランスが取れることを確認した。これにより，制御無しで簡易に直列接続が可能であることを，試験により確認した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e344 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46401972338927,"sku":"IEEJ-ZT20214-099-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_cacaf3c0-d53c-480c-842e-2affed88cb14.png?v=1744965247","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-099","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}