{"product_id":"ieej-zt20214-100","title":"GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-100\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2021\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on Optimizing Waveform of Digital Active-Gate Driving for SiC MOSFET Using Genetic Algorithm\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e福永崇平（京都大学）,高山創（京都大学）,引原隆士（京都大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShuhei Fukunaga (Kyoto University),Hajime Takayama (Kyoto University),Takashi Hikihara (Kyoto University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC MOSFET|アクティブゲートドライブ|ディジタルアクティブゲートドライバ|遺伝的アルゴリズム|SiC MOSFET|Active gate driving|Digital active gate driver|Genetic algorithm\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e高電圧の電力変換回路にSiCユニポーラデバイスを適用することで, 高速スイッチングが可能となり, 低損失化できる. しかし高速スイッチングは, 回路基板やパワーモジュール内部の寄生インダクタンスとの相互作用により, 大きなスイッチングサージ電圧を生じる. スイッチングサージ電圧を抑制する方法として, パワーデバイスのミラー効果を考慮した, アクティブゲートドライブ方式がある. 著者らはゲートドライブ方式の完全ディジタル化を目指し, ディジタルアクティブゲートドライバ（DAGD）を提案している. 本報告では\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e663 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46401972207855,"sku":"IEEJ-ZT20214-100-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5e9994ec-26eb-43b8-b55e-a4c43e0b5db7.png?v=1744965237","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20214-100","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}