{"product_id":"ieej-zt20221-093","title":"減圧大流量Ar\/CH4\/H2変調誘導熱プラズマを用いた単結晶ダイヤモンド膜成長のCH4\/H2ガス流量依存性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-093\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル：\u003c\/strong\u003e減圧大流量Ar\/CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e変調誘導熱プラズマを用いた単結晶ダイヤモンド膜成長のCH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eガス流量依存性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDependence of Single Crystal Diamond Film Growth on CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e Gas Flow Rate using Ar\/CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e Modulated Induction Thermal Plasma at Reduced Pressures with High Gas Flow Rate Supply\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e東泰造（金沢大学）,加納直樹（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTaizo Higashi (Kanazawa University Science and Technology Area),Kano Naoki (Kanazawa University Graduate School of Natural Sciences),Yasunori Tanaka (Kanazawa University Graduate School of Natural Sciences),Tatsuo Ishijima (Kanazawa University Graduate School of Natural Sciences),Yusuke Nakano (Kanazawa University Graduate School of Natural Sciences)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e誘導熱プラズマ|ダイヤモンド成長|化学気相蒸着法|Induced thermal plasma|Diamond growth|Chemical vapor deposition method\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e筆者らは独自開発した変調型誘導熱プラズマ（MITP）に よるダイヤモンド膜高速成長を検討している。MITPでは基板に照射する熱流束・ラジカル粒子束を詳細に制御できる。本報告では，減圧大流量条件のAr\/CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e MITPを単結晶ダイヤモンド基板へ照射し，単結晶ダイヤモンド成長を試みた。さらに本プロセスに対し，投入する原料CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eガス流量の変更が成長レートに与える影響を検討した。CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e=0.01\/1,0.02\/2および0.04\/4 slpmで実験を行った。CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e=0.01\/1 slpmでは単結晶ダイヤモンド成長およびグラファイトの堆積が観測され，CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e=0.02\/2および0.04\/4 slpmでは単結晶ダイヤモンド成長が観測された。単結晶ダイヤモンドの膜成長レートは，CH\u003csub\u003e4\u003c\/sub\u003e\/H\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003e=0.02\/2 slpmの場合が最も高かった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e118-119 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e342 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46402011398383,"sku":"IEEJ-ZT20221-093-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8b032b8d-3ae9-4342-b482-00163908edc1.png?v=1744968337","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20221-093","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}