{"product_id":"ieej-zt20224-003","title":"実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-003\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study on Numerical Model of Power Semiconductor Devices Using Measured Data\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松井五月（千葉工業大学）,増田匠（千葉工業大学）,土井敦史（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）,山本秀和（千葉工業大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMatsui Satsuki,Takumi Masuda,Atsushi Doi,Nobuo Satoh,Hidekazu Yamamoto\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e世界規模でエネルギー消費量は増加の一途であり，エネルギーの生産から輸送，変換に至る過程で高効率化と省エネルギー化が求められている。特に電力変換技術のキーデバイスの1つであるSiC製パワー半導体は，常に性能向上や省エネルギー化が要求されており，デバイス内部構造の改良が盛んに行われている。\u003cbr\u003eここで内部構造の複雑化により，デバイスの故障事象の解明が困難であり，デバイスの性能限界の見極めも同時に難しくなっている。\u003cbr\u003e本報告では，シミュレーション数値解析によるデバイス内部の動作解析に基き，SiC-DMOSFETの性能限界を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e3-4 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e783 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46402029388015,"sku":"IEEJ-ZT20224-003-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_51d42f02-85e5-43a0-872d-ebe5c12da43e.png?v=1744969399","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20224-003","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}