{"product_id":"ieej-zt20224-008","title":"ゲート駆動回路を集積化したGaN HEMT ICを用いた48V\/12V降圧コンバータの設計と評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-008\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2022\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eMeasurement of a 48V\/12V Buck Converter Using Monolithically-Integrated GaN HEMT with Gate Driver\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e古田潤（京都工芸繊維大学）,野池峻平（京都工芸繊維大学）,小林和淑（京都工芸繊維大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eJun Furuta (Kyoto Institute of Technology),Shympei Noike (Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi (Kyoto Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN HEMT|ゲート駆動回路|集積化|GaN HEMT|gate driver|Integration\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本稿では同一基板上に集積化したゲート駆動回路とGaN HEMTを集積したICを用いて48V\/12V降圧コンバータを試作した測定結果について報告した。Vdsの立ち上がりと立ち下りの電圧変化はそれぞれ6.8 V\/ns，8.0 V\/nsであり，2MHzでの動作を達成した。効率は2MHz，1A出力において81.5％となった。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e11-13 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e606 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46402030665967,"sku":"IEEJ-ZT20224-008-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f18ed1fc-7ac2-4341-8541-483fbac86c9b.png?v=1744969416","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20224-008","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}