{"product_id":"ieej-zt20254-048","title":"RCスナバ内蔵MOSFETパッケージのスイッチングサージ損失の一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-048\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA study of switching surge and loss of a MOSFET package with built-in RC snubber\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e安住壮紀（東芝）,小幡進（東芝）,樋口和人（東芝）,大黒達也（東芝デバイス\u0026amp;ストレージ）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakenori Yasuzumi (Toshiba Corp.),Susumu Obata (Toshiba Corp.),Kazuhito Higuchi (Toshiba Corp.),Tatsuya Ohguro (Toshiba Electronic Devices \u0026amp; Storage Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|RCスナバ|サージ|損失|MOSFET|RC snubber|Surge|Loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eMOSFETのターンオフ時に生じる電圧サージの抑制には，ドレイン-ソース端子間へのRCスナバ追加が有効である。従来はMOSFETのパッケージ外へRCスナバを配置するため，間の配線による寄生インダクタンスが電圧サージやEMI，スイッチング損失に与える影響が懸念される。本稿では，RCスナバを内蔵したパッケージの検証結果を述べる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e80-81 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e468 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46474972659951,"sku":"IEEJ-ZT20254-048-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_714b3ec3-b293-4d49-8d85-f25e28066b63.png?v=1747909234","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20254-048","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}