{"product_id":"ieej-zt20254-083","title":"p-NiO\/n-Ga2O3ヘテロダイオードの多層傾斜JTE構造のシミュレーション","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-083\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル：\u003c\/strong\u003ep-NiO\/n-Ga\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eO\u003csub\u003e3\u003c\/sub\u003eヘテロダイオードの多層傾斜JTE構造のシミュレーション\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSimulation of multiple bevel JTE at the termination of p-NiO\/n-Ga\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eO\u003csub\u003e3\u003c\/sub\u003e heterojunction diodes\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e海野凌平（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）,中込真二（石巻専修大学）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyohei Unno (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi),Shinji Nakagomi (Ishinomaki Senshu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーデバイス|ワイドバンドギャップ半導体|Ga2O3|JTE構造|Power devices|Wide bandgap semiconductor|Ga2O3|JTE structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では，p-NiO\/n-Ga?O?ヘテロダイオードの終端部における多層傾斜JTE構造の電界緩和効果をTCADシミュレーションにより解析した。JTE層終端部における傾斜なしおよび傾斜型のJTE構造のp-NiO層とn-Ga?O?層間の界面電界を最適化するため，それぞれの構造における各層のドーピング濃度と電界分布の関係を評価した。その結果，最適なドーピング濃度の場合，終端部の電界集中を効果的に緩和し，耐圧を向上させることが確認された。特に，傾斜型構造では傾斜なしの構造に比べ，JTE層の最適なドーピング濃度を\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e132-134 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e569 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46476880543983,"sku":"IEEJ-ZT20254-083-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6e7b2808-56c6-4f67-a016-9dc3194f7764.png?v=1747993455","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20254-083","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}