{"product_id":"ieej-zt20254-108","title":"MOSFETの直列接続における電圧分担の均等化手法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e4-108\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eVoltage Balancing Method for Series-Connected MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e武士俣勇斗（東芝）,川井秀介（東芝）,石原寛明（東芝）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuto Bushimata (Toshiba Corporation),Shusuke Kawai (Toshiba Corporation),Hiroaki Ishihara (Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|直列接続|寄生容量|MOSFET|Series-connected|parasitic capacitance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eパワーデバイスの直列接続は高耐圧かつ高効率な電力スイッチを実現するが，基板等の寄生容量により各デバイスの電圧分担が不均等になることが課題である。本研究はパワーMOSFETを直列接続した際にゲート・GND間の寄生容量に起因する電圧分担のずれを補正するため，MOSFETのゲート・ドレイン間に容量を追加する手法を提案する。2つのMOSFETを直列接続した回路シミュレーションで原理検証を実施し，提案手法は寄生容量と同程度の小さな値の容量を追加するだけで均等な電圧分担が実現できることを示した。また，容量を追加した状\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e176-178 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e734 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46476881494255,"sku":"IEEJ-ZT20254-108-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f892001b-c53a-48b1-a946-20a2688832ba.png?v=1747993537","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt20254-108","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}