{"product_id":"ieej-zt2025s20-1","title":"RbN3パターニング基板を用いたMEMSガスセルのウェハレベル製造技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e全国大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eS20-1\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2025\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル：\u003c\/strong\u003eRbN\u003csub\u003e3\u003c\/sub\u003eパターニング基板を用いたMEMSガスセルのウェハレベル製造技術\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e清瀬俊（京都大学）,島田弥力（東洋紡エムシー）,堀靖志（マイクロジェット）,小田切雄介（ネオアーク）,波多野智（ネオアーク）,矢野雄一郎（情報通信研究機構）,五箇繁善（東京都立大学）,平井義和（京都大学）,原基揚（情報通信研究機構）\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e本誌掲載ページ: \u003c\/strong\u003e1-4 p\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e799 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46474920886511,"sku":"IEEJ-ZT2025S20-1-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f97595a9-a9f8-4007-a7dc-a40384fc7d91.png?v=1747908050","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-zt2025s20-1","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}