On-Chip MEMSアクチュエータ駆動のためのMEMS後加工5 V標準CMOS素子を利用した30 Vスイッチング回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01am1-A-1

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): 30 V Switching Circuit Using MEMS-processed 5 V standard CMOS Transistors for Driving An On-Chip MEMS Actuator

著者名: 岡本 有貴(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Yuki Okamoto| Yoshio Mita

キーワード: MEMS,CMOS-LSI,DRIE,後加工,メサ絶縁

要約(日本語): ファウンドリを通してSOI上に作製した5V標準CMOSトランジスタにMEMS後加工を施し、30 Vスイッチング回路として実現した。この手法は、更なる高電圧化・集積化が図れ、自立IoTデバイス向けMEMS電源回路を構成することができる。本稿では、直列接続トランジスタによるスイッチング回路のデザイン手法と、それに従って設計した駆動回路集積型30Vスイッチング回路の作製・MEMS駆動実験について述べる。

要約(英語): A 30 V switching circuit with MEMS post-processed standard CMOS foundry-made transistors on a silicon-on-insulator (SOI) wafer is proposed. This method can be used for an on-chip MEMS driver in a self-powered IoT device. In this paper, a design method of high-voltage swtiching circuit with series-connected transistors is remarked. In addition, full integration with gate-voltage-level shift circuits and dynamic driving of a MEMS device with the circuit are presented.

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