Hydrogen radical treatment for suppression of oxidation and contamination at copper surfaces

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01am1-A-6

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Hydrogen radical treatment for suppression of oxidation and contamination at copper surfaces

著者名: 申 盛斌(東京大学),日暮 栄治(東京大学／産業技術総合研究所),古山 洸太(東京大学),須賀 唯知(東京大学)

著者名(英語): Seongbin Shin| Eiji Higurashi |Kohta Furuyama| Suga Tadatomo

キーワード: 水素ラジカル処理,高速原子ビーム処理,連続電気化学還元法,X線光電子分光法,銅

要約(日本語): 本研究では、水素ラジカル処理と高速原子ビーム処理による銅の酸化膜除去を行い、その後の大気暴露(常温)による再酸化の挙動について、連続電気化学還元法(SERA)およびX線光電子分光法(XPS)により分析した。アルゴン高速原子ビームにより物理的にエッチングすることで得られる活性表面に比べて,水素ラジカルの還元反応で形成された銅表面は,酸化膜の成長が抑制され、炭素の吸着が少ないことを明らかにした。

要約(英語): Hydrogen radical and fast atom beam (FAB) treatments were used to remove the oxide layer of copper metal. The samples were exposed to the air atmosphere to evaluate the re-oxidation behavior after the treatments. Compared to FAB treatment, suppression of the copper oxidation was found after the hydrogen radical treatment.

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