導電性酸化膜と金属膜を下部電極に併用したPZT薄膜の結晶成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01am2-PS-101

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Crystal Growth of PZT Thin Film on Combination with Metal Electrode and Conductive Oxide Layer

著者名: 水嵜 英明(長野県工業技術総合センター),佐藤 敏郎(信州大学),曽根原 誠(信州大学)

著者名(英語): Hideaki Mizusaki| Toshiro Sato |Makoto Sonehara

キーワード: PZT,導電性酸化膜,ルテニウム酸ストロンチウム,拡散,エッチストップ

要約(日本語): CSD法を用いたPZT薄膜赤外線センサの特性向上のため,熱伝導性の低いSRO膜を下部電極に用いた。さらにPtを10 nm積層し,SROのエッチストップとPZTの結晶成長を促した。極薄Pt/Ti/SiO2/Si基板はPbが基板内部に拡散し、特性の劣化が生じた。一方,極薄Pt/SRO基板ではPbの拡散が抑制された。残留分極量(2Pr)は約37 μC/cm2を示した。

要約(英語): To reduce thermal loss of the PZT film infrared sensor by CSD method, 10 nm Pt / SrRuO3 multi-layer to lower electrode. In Pt/Ti/SiO2/Si substrate, Pb diffused inside and causing deterioration, but Pt/SRO was not. PZT on Pt/SRO had 37 uC/cm2 residual polarization (2Pr).

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