LSI一体集積のためのシリコン上PbS量子ドット赤外フォトダイオードの試作

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01am2-PS-123

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform

著者名: 肥後 昭男(東京大学),Wang Haibin(東京大学),久保 貴哉(東京大学),宇佐美 尚人(東京大学),岡本 有貴(東京大学),山田 健太郎(東京大学),瀬川 浩司(東京大学),杉山 正和(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Akio Higo| Haibin Wang |Takaya Kubo| Naoto Usami |Yuki Okamoto| Kentaro Yamada |Hiroshi Segawa| Masakazu Sugiyama |Yoshio Mita

キーワード: PbS,コロイド量子ドット,ZnO,シリコンプラットフォーム,赤外ディテクタ

要約(日本語): 可視から赤外波長領域まで幅広く実現されているPbSコロイド量子ドット単体デバイスは多くの研究が行われているがシリコンLSIとの融合したデバイスはない.そこで本研究では、ナイトビジョンやセキュリティのため、シリコンのバンドギャップを超えた赤外領域で安価で作製できる赤外領域シリコンフォトダイオードとそのLSI展開を目指し,世界で初めてシリコン上にPbSコロイド量子ドットを融合してシリコン上赤外フォトダイオードを作製しその室温動作を実証した.

要約(英語): Near-infrared detectors by silicon based devices with large scale integration are very attractive for secure applications about image sensors. Beyond the silicon bandgap, we focus on PbS colloidal quantum dots and silicon integration. In this paper, we investigated the fabrication process of PbS quantum dots and silicon hybrid IR detector and demonstrated the optical characteristics for the first time.

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