Fabrication and evaluation of nanoelectromechanical logical gates

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01am2-PS-129

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of nanoelectromechanical logical gates

著者名: Zhao Dong(東北大学),Nguyen(東北大学),Van Toan(東北大学),Takahito(東北大学),Ono(東北大学)

著者名(英語): Dong Zhao| Van|Toan Nguyen| Takahiro|Ono

キーワード: ナノエレクトロメカニカル論理ゲート,ナノエレクトロメカニカルスイッチ,NANDゲート,NORゲート,選択的タングステンCVD

要約(日本語): 静電駆動シリコンナノ電気機械スイッチを用いた論理ゲートの設計と作製および評価を行った。NANDゲートおよびNORゲートを含む論理ゲートは、Deep RIEと選択的タングステンCVDとの組み合わせによって作製された。それらの構造は、3つの絶縁された電極(ソース、ゲート、ドレイン)を含む複数の単一ナノエレクトロメカニカルスイッチのアライアンスである。

要約(英語): The design, fabrication and evaluation of logical gates based on electrostatically driven silicon nanoelectromechanical switches are reported. The logic gates including NAND and NOR gates are successfully fabricated by a combination of reactive ion etching and selective tungsten chemical vapor deposition. Those logic gates are composed of nanoelectromechanical switches, which contained three isolated electrodes (source, gate, drain).

PDFファイルサイズ: 588 Kバイト