バナジウムドープ二硫化モリブデン二次元膜の合成に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01pm4-PS-110

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Synthesis of V-doped Molybdenum Disulfide 2D Film

著者名: 朱 敏杰(東北大学),猪股(東北大学),直生(東北大学),小野 崇人(東北大学)

著者名(英語): Minjie Zhu| Naoki|Inomata |Takahito Ono

キーワード: 二硫化モリブデン,バナジウムドーピング,硫化,電気特性,二次元遷移金属ジカルコゲナイド

要約(日本語): 本研究は硫化により大面積二硫化モリブデンにおけるバナジウムドーピング法が提案された。バナジウムドープした二硫化モリブデンは二硫化モリブデンと比べ、導電率を増加させることが確かめた。このドーピング方法は今後層状遷移金属ジカルコゲナイドに基づく、高性能電気デバイスの作製を可能にすることが期待されている。

要約(英語): A vanadium doping method is proposed for the large-area and uniform MoS2 film grown by using sulfurization. I-V characteristics indicate that V atoms indeed increased the electrical conductivity of V-doped MoS2 in comparison with pure MoS2. Our doping method is expected to realize high-performance electrical devices based on layered transition metal dichalcogenides.

PDFファイルサイズ: 510 Kバイト