超臨界流体薄膜形成技術によるSiトレンチ基板へのCu製膜の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 01pm4-PS-130

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Study of Cu Film on Silicon Trench by Supercritical Fluid Deposition

著者名: 太田 悦子(東京大学),Hurtaud Xavier(東京大学),百瀬 健(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Etsuko Ota| Xavier Hurtaud |Takeshi Momose| Yoshio Mita

キーワード: 超臨界流体成膜,Cu薄膜形成,トレンチ製膜,段差被膜,SiO2

要約(日本語): 本研究では,超臨界状態の流体を媒体としてシリコントレンチ側壁に銅シード層を堆積させる超臨界流体薄膜形成技術に注目し,実験によって成膜条件を見出した.シリコン立体構造への直接成膜に加え,絶縁性下地材料上へのCu成膜手法について, バッファー層を利用する手法を本研究では採用し、バッファー材料として従来知られていたCuMnOxを用いた成膜だけでなく,新たにオスミウムを使用したCu層の成膜条件を実験的に見出すことができた.

要約(英語): We investigated the condition of Cu thin films using supercritical fluid deposition (SCFD) on deep-etched Si trenches. Since SCFD Cu films are not adhesive to an insulating layer, the technology is not used for fabrication of seed layers for electroplating in a deep trench. We, therefore, focused on another metal buffer layer, which improves adhesiveness between a Cu layer and an insulating layer.

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