超電導電力貯蔵装置を小型化するための渦巻溝形成と壁面の低スキャロップ化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 02pm1-PS-204

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Reducing Scallop in Spiral Trench Sidewall for Compact Superconducting Magnetic Energy Storage

著者名: Che-Wei Hsu(豊田工業大学),熊谷 慎也(豊田工業大学),鈴木 康広(名古屋大学),日置 辰視(名古屋大学),盧 柱亨(関東学院大学),高井 治(関東学院大学),元廣 友美(名古屋大学),佐々木 実(豊田工業大学)

著者名(英語): Che-Wei Hsu| Shinya Kumagai |Yasuhiro Suzuki| Tatsumi Hioki |Joo-hyong Noh| Osamu Takai |Tomoyoshi Motohiro| Minoru Sasaki

キーワード: 超電導電力貯蔵システム(SMES),3段溝,長い渦巻溝,スキャロップ低減,スパッタNbN膜質向上

要約(日本語): 超電導電力貯蔵装置SMESを小型化するコイルを実現するため、Siウェハ全面で全長85mの渦巻3段溝を4インチウェハに形成した。Siエッチングのレシピを調整し、エッチング速度を190nm/サイクル、壁面の凹凸であるスキャロップを約40nmとした。得られたサンプルに、高温酸化と酸化膜除去を施し、スキャロップが分からないほど平滑となった。これに超伝導材料NbNをスパッタ成膜して、膜質向上を確認した。

要約(英語): An 85m-long spiral trench in 4-inch Si wafer for embedding the superconducting material is developed to realize the coil of the superconducting magnetic energy storage (SMES). The 3-stepped spiral trench is fabricated realizing the smooth sidewall using the developed recipe of Si etching and the high-temperature thermal oxidation with the subsequent etching of the grown SiO2.

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