道路インフラモニタリング用MEMS歪みセンサの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 02pm1-PS-212

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Development of MEMs strain sensor for trafficinfrastructures

著者名: 後藤 慎太郎(東京大学),高松 誠一(東京大学),伊藤 寿浩(東京大学),小林 健(産業技術総合研究所),山下 崇博(産業技術総合研究所),牧本 なつみ(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shintaro Goto| Seiichi Takamatsu |Toshihiro Itoh| Takeshi Kobayashi |Takahiro Yamashita| Natsumi Makimoto

キーワード: ピエゾ,歪みゲージ,薄膜,MEMS,フィルム

要約(日本語): 本研究では新たなデバイスとして、フィルム上に転写した薄膜ピエゾ抵抗素子を考案、試作を行い、薄膜ピエゾ抵抗の厚みを変えた場合、歪みに対する抵抗値変化、ゲージ率に大きな違いが現れることを明らかにした。実装条件として、厚さ3μmの薄膜シリコンを厚さ0.03mmの粘着剤を用いて厚さ0.05mmのポリイミドフィルムに実装、アクリル接着剤を接着層としてステンレス板の歪みを測定しゲージ率120という結果を得た。

要約(英語): This paper addresses new sensing method, piezo resistive silicon membrane on flexible film. We revealed that thickness of the silicon membrane is very important factor for gauge factor of whole device. As the result of examination ,we got gauge factor of 120 using 3 micro meters silicon as a sensor chip.

PDFファイルサイズ: 546 Kバイト