pn接合電流を考慮した弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデリングと低電圧カレントミラー回路における一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21003

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/01/18

タイトル(英語): MOSFET Modeling of Temperature Dependence in Weak Inversion Region and a Study of Low-Voltage Current Mirror

著者名: 山本 遥哉(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Haruya Yamamoto(Meiji University),Kaori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|弱反転領域|温度特性|モデリング|MOSFET|Weak Inversion Region|Temperature Dependence|Modeling

要約(日本語): MOSFETの弱反転領域は電流が微小であり、消費電力低減のために用いられる。弱反転領域では、温度変化に対して変動する微小電流はノイズなどと比較して相対的に影響を受けやすく、正確なモデル化が必要である。本研究ではP-MOSFETの弱反転領域におけるチャネル電流とpn接合電流の温度特性のモデリングを行い、モデル式を実測値と比較する。またMOSFETのモデル式を用いて低電圧カレントミラー回路における温度特性の改善について考察する。

要約(英語): MOSFET modeling of temperature dependence in weak inversion region must be accurate and reliable because current variation with temperature in weak inversion region should be considered. This research focus on the model equation and compare it with the results of measurement.

本誌: 2021年1月21日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 701 Kバイト