GaNパワーデバイスを並列接続させたMHz駆動電力変換回路実装

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC21044,MD21044

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2021/01/18

タイトル(英語): Implementation of MHz-operating power conversion circuits with parallel-connected GaN power devices

著者名: 芹田 英(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学)

著者名(英語): Suguru Serita(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ＧａＮ|高周波駆動|並列接続|寄生パラメータ|Gallium nitride|high-frequency operation|parallel-connection|parasitic parameter

要約(日本語): 近年,電力変換回路の高周波,大電力化の需要からSiではなく,GaNパワーデバイスを使用した電力変換回路の検討がされている。_x000D_ しかし,高周波での回路動作において誤動作の報告も多く,GaNパワーデバイスを用いた電力変換回路に従来の回路実装技術の適応は難しいといえる。_x000D_ 本稿ではGaNパワーデバイスを並列接続した電力変換回路に用いて,実機検証し,安全動作領域を評価することで,高周波,大電力条件下での回路実装手法の検討を行う。_x000D_

要約(英語): Recently, GaN power devices are discussed an alternative to Si for high frequency and high power of power conversion circuits_x000D_ However it is difficult to apply conventional circuit implementing method to power conversion circuits._x000D_ This paper evaluates the circuit implementing method under high frequency and high power conditions using power conversion circuit using parallel-connected GaN power devices_x000D_

本誌: 2021年1月22日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会

本誌掲載ページ: 93-97 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,637 Kバイト