表面波プラズマCVDを用いた窒化ホウ素膜の合成と絶縁性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI21016,EPP21016,HV21016

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料/【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2021/01/19

タイトル(英語): Synthesis of Boron Nitride Films by Surface-Wave Plasma-Enhanced CVD and Characterization of Their Insulation Properties

著者名: 泥谷 亮太(九州大学),伊藤 隆太(九州大学),山本 世翔(九州大学),神村 勇馬(九州大学),堤井 君元(九州大学),松本 精一郎(九州大学)

著者名(英語): Ryota Hijiya(Kyushu University),Ryuta Ito(Kyushu University),Sena Yamamoto(Kyushu University),Yuma Kamimura(Kyushu University),Kungen Teii(Kyushu University),Seiichiro Matsumoto(Kyushu University)

キーワード: プラズマＣＶＤ|窒化ホウ素|薄膜|誘電体|電気特性|plasma CVD|boron nitride|thin film|dielectric|electrical property

要約(日本語): 窒化ホウ素は大バンドギャップと高絶縁破壊電界を有しているため、高温で使える絶縁材料として有望である。本研究では、プラズマCVDにより作製した窒化ホウ素膜の構造と絶縁性について報告する。

要約(英語): Boron nitirde is promising as a dielectric material in high temperature condition because it has a large band gap and a high breakdown field. In this study, boron nitride thin films are deposited by plasma CVD and their structure and insulation properties are examined.

本誌: 2021年1月22日誘電・絶縁材料/放電・プラズマ・パルスパワー/高電圧合同研究会

本誌掲載ページ: 89-92 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 242 Kバイト