スルーレート制御アクティブゲート駆動を用いた広電流範囲にわたるSiC-MOSFETターンオン損失低減の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE21033,PSE21046,SPC21085

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/02/26

タイトル(英語): Study on Turn-on Loss Reduction for SiC-MOSFET in Wide Current Range by Active Gate Drive with Slew Rate Control

著者名: 伊藤 正悟(横浜国立大学),Setiadi Hadi(横浜国立大学),小原 秀嶺(横浜国立大学),下野 誠通(横浜国立大学),河村 篤男(横浜国立大学)

著者名(英語): Shogo Ito(Yokohama National University),Hadi Setiadi(Yokohama National University),Hidemine Obara(Yokohama National University),Tomoyuki Shimono(Yokohama National University),Atsuo Kawamura(Yokohama National University)

キーワード: ゲート駆動回路|スイッチング損失|高効率|アクティブゲート駆動|Gate driver|Switching loss|High efficiency|Active gate drive

要約(日本語): 本論文では，SiC-MOSFETの更なるスイッチング損失の低減を目的として，アクティブゲート駆動の一方式であるスルーレート制御を適用する。スルーレート制御とは，入力信号によりゲート電流を能動的に調整し，スイッチング速度を詳細に制御する方式である。120Vと280Vの二通りの入力電圧条件において，20Aまでのスイッチング試験を行ったところ，単純なゲート抵抗を用いた従来の駆動法と比較し3～5割のターンオン損失の低減を確認した。

要約(英語): In this paper,we apply a slew rate control (SRC), which is a method of active gate drive,to SiC-MOSFET for further reduction of the switching loss.In SRC, the switching speed can be finely controlled by active adjustment of the gate current with input signals.Switching tests up to 20 A were performed under two input voltage conditions of 120 and 280 V.It was verified that SRC gate drive reduces the turn-on loss by 30% to 50% compared with the conventional gate drive method with a simple gate resistor.

本誌: 2021年3月1・2日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 95-100 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,204 Kバイト