高周波用パワートランスとGaN GITを用いた絶縁型E2級DC-DCコンバータの実験的検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE21040,PSE21053,SPC21092

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/02/26

タイトル(英語): An experimental study on isolated class-E2 DC-DC converter with RF power transformer and GaN GIT

著者名: 關 翔太(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shota Seki(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: コンバータ|Ｅ級|ＧａＮ|トランス|絶縁型|ソフトスイッチング|converter|class-E|GaN|transformer|isolation|soft-switching

要約(日本語): 電力変換回路の小型軽量化にはパワーデバイスの高周波駆動が有効である。しかしハードスイッチングでは高周波化によりスイッチング損失が増加する。また、感電からの保護のため絶縁が必要である。本研究では高周波動作時のスイッチング損失の低減と絶縁のため、GaN GITにE級スイッチングを適用した絶縁型E2級DC-DCコンバータと、それに用いる高周波パワートランスに関する実験的検討を行い、E級スイッチングによる電力変換を達成した。

要約(英語): High frequency switching operation of power device is key to miniaturize power conversion circuit, but it also increases switching loss in hard switching operation of power devices. Galvanic isolation with transformer is also important in order to prevent electric shock. This paper studies class E2 DC-DC converter with GaN power device and high frequency power transformer for the sake of reducing switching loss and galvanic isolation. The designed circuit experimentally achieves class E switching and high frequency power conversion.

本誌: 2021年3月1・2日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 137-142 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,112 Kバイト