選択成長法を用いたGaN系FinFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2021/02/28

タイトル(英語): GaN FinFETs fabricated by using selective area growth

著者名: 筒井 一生(東京工業大学),濱田 拓也(東京工業大学),高山 研(東京工業大学),金 相佑(東京工業大学),星井 拓也(東京工業大学),角嶋 邦之(東京工業大学),若林 整(東京工業大学),高橋 言緒(産業技術総合研究所),井手 利英(産業技術総合研究所),清水 三聡(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuo Tsutsui(Tokyo Institute of Technology),Takuya Hamada(Tokyo Institute of Technology),Ken Takayama(Tokyo Institute of Technology),Sangwoo Kim(Tokyo Institute of Technology),Takuya Hoshii(Tokyo Institute of Technology),Kuniyuki Kakushima(Tokyo Institut

キーワード: ＦｉｎＦＥＴ|ＧａＮ|選択成長|パワーデバイス|FinFET|GaN|selective area growth|power devices

要約(日本語): GaN系トランジスタにおいて、立体的なチャネル構造を有するFinFETが将来的には現主流のHEMTを凌駕する高性能デバイスとなる可能性がある。本研究では、作製プロセスに従来エッチング法にかわり、GaNの選択成長法を用いてFin構造を作製している。この方法で、より高品質のGaN結晶チャネルが形成でき、より高い性能が期待できる。また、GaN系FinFETには種々の形態が考えられ、その比較も議論する。

要約(英語): 　FinFETs fabricated by GaN related materials are expected to realize higher performances comparing with conventional HEMTs. In this work, the Fin structures were fabricated by using the selective area growth of GaN instead of conventional etching processes. This method resulted in better crystallinity of the GaN Fin channels, so that better device performances are expected. In addition, comparison between some possible channel conduction modes in the GaN FinFETs are discussed.

本誌: 2021年3月3日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 11-15 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,616 Kバイト