界面電荷量によるGaN HEMTの耐圧制御の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2021/02/28

タイトル(英語): Proposal of breakdown voltage control of GaN HEMT by amount of interface charge

著者名: 宮本 恭幸(東京工業大学/名古屋大学),後藤 高寛(東京工業大学)

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Tech/Nagoya Univ.),Gotow Takahiro(Tokyo Tech/Nagoya Univ.)

キーワード: ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ゲートリーク電流|半極性|耐圧|障壁高さ|GaN HEMT|Gate leakage current|semi-polar|breakdown voltage|barrier height

要約(日本語): GaN HEMTにおいて、AlGaN組成を増大させ、ヘテロ界面の電荷密度をあげると、二次元電子ガスは増えるが、空乏層長さが低減し、ドレイン高電圧印加時にリークが増える。一方、AlGaN組成増大はショットキー障壁高さ増大とトンネル中の有効質量の増大によりゲートリークが減る要因もある。そこで半極性ヘテロ界面を導入して、ヘテロ界面電荷密度を下げ、リーク電流が抑制できないかを検討した。

要約(英語): In GaN HEMTs, increasing of the AlGaN composition increases the charge density at the hetero interface, results in increases the two-dimensional electron gas. However, reduces the depletion layer length and increases leakage current at a high drain voltage. On the other hand, the increase in AlGaN composition has a factor to reduce gate leakage by the increase in Schottky barrier height and effective mass in tunneling. Therefore, we examined whether the leakage current could be suppressed by introduction of a semi-polar hetero-interface for lowering the hetero-interface charge density.

本誌: 2021年3月3日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 41-46 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 388 Kバイト