高周波GaN-HEMTの特性劣化メカニズム解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2021/02/28

タイトル(英語): Analysis of the Degradation Mechanism of High Frequency GaN-HEMTs

著者名: 舘野 泰範(住友電気工業),四田 泰代(住友電工デバイスイノベーション),米村 卓巳(住友電気工業),古川 将人(住友電気工業),野瀬 幸則(住友電気工業)

著者名(英語): Yasunori Tateno(Sumitomo Electric Industries),Yasuyo Kurachi(Sumitomo Electric Device Innovations),Takumi Yonemura(Sumitomo Electric Industries),Masato Furukawa(Sumitomo Electric Industries),Yukinori Nose(Sumitomo Electric Industries)

要約(日本語): 高温動作試験におけるGaN-HEMTの特性劣化について、遅延時間解析や、顕微ラマン分光法による局所的応力の実測評価、およびデバイスシミュレーションを行い、そのメカニズムを解析した。

要約(英語): The physical mechanisms of the degradation of GaN-HEMTs were investigated by using the delay time analysis, the measurment of the local stress distribution by Raman spectroscopy and the device simulation.

本誌: 2021年3月3日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 53-58 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,243 Kバイト