アルカリイオン電界駆動型C60薄膜抵抗可変メモリ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD21023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2021/06/13

タイトル(英語): Alkaline ion electric-field driven resistance variable memory of C60 thin films

著者名: 中谷 真人(名古屋大学),尾上 順(名古屋大学)

著者名(英語): Masato Nakaya(Nagoya University),Jun Onoe(Nagoya University)

キーワード: Ｋ　層・Ｃ６０薄膜|抵抗可変型メモリ|多値記録|ウエアラブルデバイス|スイッチング速度|K layer/C60 film|variable resistance memory|multi-value memory|wearable device|switching speed

要約(日本語): 論文上のタイトルは「光重合フラーレンポリマー薄膜の電子線照射効果」となります。 チタン電極で挟んだK層/C60薄膜にパルス電圧を印加すると、KイオンがC60薄膜内に拡散することで抵抗可変型メモリとして動作することを見出した。詳細は当日報告する。

要約(英語): It was found that when a pulse voltage is applied to the K layer / C60 thin film sandwiched between titanium electrodes, K ions diffuse into the C60 thin film to operate as a variable resistance memory. Details will be reported on the day.

本誌: 2021年6月16日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 17-21 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 3,462 Kバイト