SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/06/21

タイトル(英語): A Study on Optimizing Gate Voltage Waveform of SiC MOSFETs by Genetic Algorithm

著者名: 高山 創(京都大学),福永 崇平(大阪大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Hajime Takayama(Kyoto University),Shuhei Fukunaga(Osaka University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ディジタルアクティブゲートドライブ|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|遺伝的アルゴリズム|多目的最適化|ゲート・ソース間電圧波形|高速スイッチング|Digital active gate drive|SiC MOSFET|Genetic algorithm|Multi-objective optimization|Gate-source voltage waveform|Fast switching

要約(日本語): SiC MOSFETのスイッチング特性を改善させる手法として, アクティブゲートドライブ (AGD)が着目されている. 筆者らは, D/A変換回路の回路構成を応用したAGDのディジタル化を検討しており, これまでにデバイスの特性や動作条件に対して柔軟な対応が可能であることを確認している. 本検討では, 指定するゲート電圧波形を遺伝的アルゴリズムによって最適化することを検討する. 複数の指標を評価関数として用い, 得られた解を分析する.

要約(英語): Active gate drive (AGD) has been attention as a method for improving the switching characteristics of SiC MOSFETs. The authors have proposed the digitization of AGD by applying the circuit configuration of a digital-to-analog converter. So far, we have confirmed that it is possible to deal with various characteristics and wide operating conditions of the device flexibly. This study investigates the optimization of the gate-source voltage waveform of SiC MOSFETs by genetic algorithm. Using the current/voltage peak and the switching loss as evaluation functions, the obtained solutions are analyzed based on the device characteristics and operating conditions.

本誌: 2021年6月24日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 7-12 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,530 Kバイト