弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧の低電圧化
弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧の低電圧化
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT21028
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2021/06/21
タイトル(英語): Reducing Power Supply Voltage for CMOS Conversion IC that Utilizes Weak Inversion Operation
著者名: 西山 直哉(東洋大学大学院),松井 文也(東洋大学),佐野 勇司(東洋大学)
著者名(英語): Naoya Nishiyama(Toyo University Graduate School),Fumiya Matsui(Toyo University),Yuji Sano(Toyo University)
キーワード: 信号変換回路|弱反転|べき乗関数|非線形補正|低電源電圧|Signal conversion circuit|Subthreshold|Exponentiation function|Nonlinearity compensation |Low power supply voltage
要約(日本語): 各種素子の非線形性補正に適した「信号べき乗変換回路」をMOSFETの弱反転動作を活用した小回路により実現できる。今回、6.3V必要であった電源電圧をカレントミラー回路による入出力信号電圧の並列化により、マイコンICに搭載可能な3.3Vに低減した。また、最大利得値の制限を排除できる新しい乗算回路の提案により最大べき指数値を2.9確保した。さらに、信号ダイナミックレンジを42.7 dBに拡大できることをシミュレーションにより確認した。
要約(英語): In order to compensate non-linearity of any electronic devices, we have proposed small scale exponentiation conversion circuit by utilizing subthreshold operation of the MOSFET up to now. In this paper, we propose reducing its power supply voltage from 6.3V to 3.3V, capable of applying the circuit to logical IC chips. Our circuit can obtain 42.7dB of the signal dynamic range at its power exponent value from 0.50 to 2.0, by applying new multiplying circuit that can eliminate restricting of maximum gain.
本誌掲載ページ: 19-23 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,528 Kバイト
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