SiC-MOSFETの熱インピーダンスの過渡特性を表すCauer型等価熱回路の構築:パワー半導体を用いた低電圧DC遮断器への適用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP21074,SA21043,SP21015

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 静止器/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護合同研究会

発行日: 2021/07/04

タイトル(英語): Construction of Equivalent Thermal Circuit Representing Transient Thermal Impedance of SiC-MOSFET Semiconductor

著者名: 渡邉 幹太(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),兒玉 直人(名古屋大学)

著者名(英語): Kanta Watanabe(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Naoto Kodama(Nagoya University)

キーワード: ＳＩＣ－ＭＯＳＦＥＴ|接合部温度|Ｃａｕｅｒ型等価熱回路|過渡熱インピーダンス|数値シミュレーション|低圧直流遮断器|SiC-MOSFET|Junction temperature|Cauer-type equivalent thermal circuit|Transient thermal impedance|Numerical simulation|Low-voltage DC Circuit breaker

要約(日本語): 我々の研究室では，SiC-MOSFETを用いた低圧直流モデル遮断器を試作し，遮断特性を評価してきた。本報告では，構成されたSiC-MOSFETの過渡熱特性を表すCauer回路について述べる。伝熱工学と伝送工学に基づき，Cauer回路を実現した。

要約(英語): Low-voltage DC model circuit breakers using SiC-MOSFETs have been fabricated and their interrupting characteristics have been evaluated. Our research project have researched the junction temperature during the current interruption process. This paper describes a Cauer circuit representing transient thermal behavior the composed SiC-MOSFET. The achievement of the Cauer circuit is done, based on heat-transfer engineering and transmission engineering.

本誌: 2021年7月7日―2021年7月8日放電・プラズマ・パルスパワー/静止器/開閉保護合同研究会

本誌掲載ページ: 69-73 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,078 Kバイト