高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレートを用いたUV-C LEDの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD21037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2021/07/17

タイトル(英語): Development of UV-C LED using high-temperature annealed sputter-deposited AlN template

著者名: 上杉 謙次郎(三重大学),正直 花奈子(三重大学),窪谷 茂幸(三重大学),肖 世玉(三重大学),三宅 秀人(三重大学)

著者名(英語): Kenjiro Uesugi(Mie University),Kanako Shojiki(Mie University),Shigeyuki Kuboya(Mie University),Shiyu Xiao(Mie University),Hideto Miyake(Mie University)

キーワード: ＵＶ－Ｃ　ＬＥＤ|ＡｌＮ|ＡｌＧａＮ|スパッタリング|アニール|ＭＯＶＰＥ|UV-C LED|AlN|AlGaN|Sputtering|Anneal|MOVPE

要約(日本語): スパッタリングによる成膜と高温アニールを組み合わせたAlNテンプレートは、安価かつ簡便に作製できるにもかかわらず貫通転位密度が極めて低いため、深紫外発光ダイオード(DUV-LED)をはじめとする発光素子への応用が期待されている。本発表では、AlNテンプレートの貫通転位密度低減と、同テンプレート上へ結晶成長させたAlGaNの高品質化に関する取り組みについて述べるとともに、この技術を用いて作製したUV-C LEDの特性について紹介する。

要約(英語): AlN templates fabricated by a combination of sputtering and high-temperature annealing are expected to be applied to light-emitting devices such as deep-ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) because of their extremely low threading dislocation density (TDD) despite their cost-reduced and simple fabrication process. In this presentation, we will discuss the reduction of TDD in the AlN templates and the improvement of the crystalline quality of AlGaN films grown on the templates, and introduce the characteristics of UV-C LEDs fabricated using this technology.

本誌: 2021年7月20日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 17-22 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,820 Kバイト