超電導電力貯蔵装置を小型化するための100m超かつ平滑な渦巻溝形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS21040

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2021/07/23

タイトル(英語): Over 100m-long Spiral Silicon Micro-Trench with 3-Step Smooth Sidewalls to Deposit Superconducting Material for Miniaturized Magnetic Energy Storage

著者名: 佐々木 実(豊田工業大学),盧 柱亨(関東学院大学),高井 治(関東学院大学),元廣 友美(名古屋大学)

著者名(英語): Minoru Sasaki(Toyota Technological Institute),joo-hyong noh(Kanto Gakuin University),Osamu Takai(Kanto Gakuin University),Tomoyoshi Motohiro(Nagoya University)

キーワード: Ｓｉ垂直エッチング|３段溝|１０２ｍ長スパイラル溝|スキャロップ平滑化|小型化|超電導磁気エネルギー貯蔵システム|Si vertical etching|3-step trench|102m-long spiral trench|scallop smoothening|miniaturization|superconducting magnetic energy storage

要約(日本語): 超電導電力貯蔵装置SMESを小型化するコイルを実現するため、全長102mの渦巻溝を4インチSiウェハに形成した。3段溝はパターニング不良による断線に強い。Siエッチングの壁面凹凸を約40nmに抑え、高温酸化と酸化膜除去を施して平滑にした。スパイラルは１周144角形で、2.5°ずつ曲がる。Siエッチングで生じる揺らぎで入る角度と同程度である。平滑な溝は、後に成膜する超電導材料の質を高める。

要約(英語): A 102m-long spiral trench over 4-inch wafer is fabricated for the coil of the superconducting magnetic energy storage. 3-stepped structure can reduce the disconnection risk caused by the random defects. Si etching scallop is decreased and smoothened by the oxidization and the grown SiO2 etching. This improves the superconducting film quality deposited later.

本誌: 2021年7月26日－2021年7月27日マイクロマシン・センサシステム研究会

本誌掲載ページ: 25-28 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,220 Kバイト