Ion sensitivity from current hysteresis in InAs nanowire field-effect transistors functionalized by ionophore-doped fluorosilicone membranes

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: BMS21023

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム研究会

発行日: 2021/07/23

タイトル(英語): Ion sensitivity from current hysteresis in InAs nanowire field-effect transistors functionalized by ionophore-doped fluorosilicone membranes

著者名: Tseng Alex (東京大学),Ruda Harry(トロント大学),坂田 利弥(東京大学)

著者名(英語): Alex Tseng(The University of Tokyo),Harry Ruda(Univ. of Toronto),Toshiya Sakata(The University of Tokyo)

キーワード: ＩｎＡｓ|ナノワイヤー|電界効果トランジスタ|ヒステリシス|イオノフォア|イオンセンサ|InAs|Nanowire|Field-effect transistor|Hysteresis|Ionophore|Ion sensor

要約(日本語): 本研究では、InAsナノワイヤー表面にフルオロシリコーンを母材としたイオン感応膜をコーティングし、溶液下におけるイオン応答性について調査した。特に、トランスファー特性におけるヒステリシス挙動から本センサにおける感度について議論する。

要約(英語): Trapping of environmental charges in surface states typically dominates electrical transport in nanostructured field-effect transistors (FETs) applied as sensors. In the mode of active operation, we demonstrate enhancement above the Nernstian limit with linear calibrations of (－77.5?±?3.2 to －80.7?±?3.0?mV/dec) despite the presence of non-equilibrium ion fluxes.

本誌: 2021年7月26日－2021年7月27日バイオ・マイクロシステム研究会

本誌掲載ページ: 17-22 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 1,057 Kバイト