GaN素子を用いたスイッチング電源回路近傍における放射ノイズの広帯域評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC21121,MD21108

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2021/09/14

タイトル(英語): Wideband Noise Evaluation Nearby Switching Power Circuits using GaN Elements

著者名: 小松 美早紀(神戸大学),渡邊 航(神戸大学),青井 舞(神戸大学),田中 聡(神戸大学),永田 真(神戸大学)

著者名(英語): Misaki Komatsu(Kobe University),Koh Watanabe(Kobe University),Mai Aoi(Kobe University),Satoshi Tanaka(Kobe University),Makoto Nagata(Kobe University)

キーワード: 放射ノイズ測定|電磁環境両立性|パワーエレクトロニクス|ガリウムナイトライド（ＧａＮ）|スイッチング電源回路|無線通信|Noise measurement|Electromagnetic compatibility (EMC)|Power electronics|Gallium nitride(GaN) |Switching power circuits|Wireless communication

要約(日本語): ガリウムナイトライド(GaN)等の次世代半導体素子の発展に伴い、電源装置の高効率・高出力駆動化が進んでいる。電子機器の多くが無線接続するIoT社会において、半導体素子のスイッチング動作による広帯域の放射ノイズが無線通信と電磁干渉する恐れがある。本研究は、電源装置の効果的なノイズ対策に向けて、GaN素子を用いた電源回路基板を対象とし、6 GHzまでの広帯域における放射ノイズ特性とその発生メカニズムの解明を目指している。

要約(英語): Switching power circuits using wide band gap semiconductors such as gallium nitride (GaN) emanate electromagnetic noise into wide frequency band by their high-efficiency and high-power operation. The noise may degrade the performance of wireless communication systems among internet-of-things (IoT)devices, where the mechanism of noise emission in power modules should be elucidated. This paper presents the noise evaluation of a switching power circuitboard using GaN elements in the wide frequency band of 6 GHz for wireless communication systems.

本誌: 2021年9月17日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会

本誌掲載ページ: 85-90 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,802 Kバイト