３．３ｋＶ耐圧ＳｉＣ　ＳＪ－ＭＯＳＦＥＴの特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21041,SPC21131

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Electrical property of 3.3 kV-class SiC SJ-MOSFET

著者名: 馬場 正和(産業技術総合研究所),俵 武志(産業技術総合研究所),森本 忠雄(産業技術総合研究所),市川 義人(富士電機),木下 明将(富士電機),武井 学(富士電機),原田 信介(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masakazu Baba(AIST),Takeshi Tawara(AIST),Tadao Morimoto(AIST),Ichikawa Ichikawa(Fuji Electric),Akimasa Kinoshita(Fuji Electric),Manabu Takei(Fuji Electric),Shinsuke Harada(AIST)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|スーパージャンクション|オン抵抗|スイッチング|SiC|MOSFET|Superjunction|Specific on resistance|Switching

要約(日本語): 3.3kV耐圧クラスのSiC SJ-MOSFETを試作し、静・動特性とボディダイオード通電における順方向劣化評価を行った。SJ-MOSFETは室温で3.3mΩcm2、175℃で6.2mΩcm2の超低オン抵抗を実現した。175℃のスイッチング損失は、Non-SJの6.66 mJ に対して、Semi-SJは5.32 mJ、Full-SJは6.53 mJとなり、それぞれ20%、2%低減した。

要約(英語): We investigated static and dynamic characteristics in 3.3 kV-class SiC SJ-MOSFET. SJ-MOSFET has exhibited extremely low specific on resistance of 3.3 and 6.2 mΩcm2 at 25oC and 175oC respectively. A total switching loss is less than that of conventional SiC MOSFET at 175oC.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,373 Kバイト