MOSFETのスイッチングモデルに関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21042,SPC21132

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Analysis about MOSFET's Switching Model

著者名: 熊 軼(名古屋大学),新井 大輔(名古屋大学),米澤 遊(名古屋大学),今岡 淳(名古屋大学),山本 真義(名古屋大学)

著者名(英語): Yi Xiong(Nagoya University),Daisuke Arai(Nagoya University),Yu Yonezawa(Nagoya University),Jun Imaoka(Nagoya University),Masayoshi Yamamoto(Nagoya University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|スイッチング|モデル|MOSFET|Switching|Model

要約(日本語): 本研究では、MOSFETのスイッチングの過渡現象をいくつかのフェーズに分け、それぞれ等価回路を作り、数式で解析してみた。この解析では、ドレイン側とソース側の寄生インダクタンスを全部考慮し、高周波回路設計には精度が保証できる。今回の研究に基づいて、スイッチング時間とスイッチング損失までの解析が可能になる。

要約(英語): In high-frequency system, parasitic component in both device and circuit can affect a lot to the switching performance of power metal-oxide semiconductor field-effect-transistor(MOSFET). In this paper, an accurate analytical model is proposed for power MOSFET circuit design in high frequency system. On the basis of this model, it is possible that the switching time and switching loss can be calculated accurately in some systems.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 7-11 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 902 Kバイト