N並列のSiC MOSFETを用いた固体遮断器の設計方法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21043,SPC21133

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): A Design Method for Solid-State Circuit Breakers Using N Parallel-Connected SiC MOSFETs

著者名: Lou Zaiqi(九州大学),和田 圭二(東京都立大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Zaiqi Lou(Kyushu University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: パワーＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|固体遮断機|非クランプ誘導性スイッチング試験|並列接続|信頼性|熱破壊|power SiC MOSFET|solid state circuit breaker|UIS test|parallel connect|reliability|thermal destruction

要約(日本語): 二並列SiC MOSFETのUIS実験を行い、SiC MOSFETの耐圧ばらつき許容範囲の計算手法の妥当性を証明した。二並列の計算方法を基づいて、4並列、6並列及び8並列の場合、耐圧ばらつき許容範囲と遮断電流の臨界条件を提出した。SiC MOSFETの耐圧分布を正規分布と仮定し、その臨界条件を使い、耐圧がある正規分布に従うSiC MOSFETで耐えられる電流の確率を推定できた。そして、耐圧分布、遮断電流および並列個数の関係を求め、この関係を使用し固体遮断器を設計する。

要約(英語): The UIS test of two parallel-connected SiC MOSFET was implemented to demonstrate the method of calculating acceptable breakdown voltage variations is valuable. Based on the method, the critical condition of N parallel-connected SiC MOSFET was proposed. Considering the distribution of breakdown voltage is normal distributions, the probability of current capacity of 4, 6 and 8 parallel-connected SiC MOSFETs was estimated. Furthermore, the relationship of N, current capacity, and breakdown voltage distribution was concluded to design a SSCB with N parallel-connected SiC MOSFETs.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,167 Kバイト