ゲート接続トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるゲートドライブ技術の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21044,SPC21134

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Proposal of gate drive techniques for Gate-connected Trench Field Plate MOSFET

著者名: 西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ),可知 剛(東芝デバイス＆ストレージ),川口 雄介(東芝デバイス＆ストレージ),梅川 真一(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tsuyoshi Kachi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Electronic Devices & Storage C

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|トレンチフィールドプレートＭＯＳＦＥＴ|ゲート接続ＦＰ|スイッチング損失|セルフターンオン|ゲートドライブ技術|Power MOSFET|Trench Field Plate MOSFET|Gate-Connected FP|Switching loss|Shoot-through|Gate drive technique

要約(日本語): トレンチフィールドプレート(FP)構造において、FP電極をゲートに接続したゲート接続FP構造は、FP電極の蓄積層の効果により低オン抵抗を実現できる反面、Crssが大きくなるためにスイッチング損失が大きく、高速動作が困難という問題があった。本提案では、FP端子にPchMOSと抵抗またはインダクタを加えてゲート接続することにより、ゲートFP構造のスイッチング損失を低減する駆動方式を提案する。

要約(英語): Gate-connected Trench Field Plate (FP) structure, which of the FP electrode is connected to the Gate, realizes low on-resistance by its accumulation effect. While on the other hand, its large Crss increases switching loss and prevents high-speed switching. In this paper, we proposed the novel FP gate driving technique which is electrically connected to the Gate with a PchMOS, resistors and an inductor for reducing switching loss.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 19-24 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,301 Kバイト