高耐圧ゲート駆動ICに内蔵する自己遮蔽型レベルシフタの寄生素子動作解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21046,SPC21136

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Analysis of Parasitic Bipolar Actions in the Self-Shielding Level-Shifter for High Voltage Gate Drive ICs

著者名: 上西 顕寛(富士電機),山路 将晴(富士電機),田中 貴英(富士電機),澄田 仁志(富士電機)

著者名(英語): Akihiro Jonishi(Fuji Electric Co., Ltd.),Masaharu Yamaji(Fuji Electric Co., Ltd.),Takahide Tanaka(Fuji Electric Co., Ltd.),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: ＨＶＩＣ|自己遮蔽型レベルシフタ|逆回復電流|負電圧ノイズ|誤動作|寄生素子|HVIC|self-shielding level-shifter|reverse recovery current|negative voltage noise|malfunction|parasitic devices

要約(日本語): 高耐圧ゲート駆動IC(HVIC)のスイッチングノイズ耐量向上を目的に、負電圧ノイズ印加時にIC搭載デバイスの自己遮蔽型レベルシフタで発生する異常動作を解析した。その結果、寄生ダイオードの逆回復電流および複数の寄生バイポーラトランジスタの動作により異常動作が引き起こされることがわかった。この異常動作を抑制する新しいレベルシフタ構造を考案し、ICの負電圧ノイズ耐量を50%以上改善した。

要約(英語): In this paper, we have studied an abnormal behavior of the self-shielding level-shifter in a high-voltage gate drive IC (HVIC) under the negative voltage noise to improve the switching noise immunity. The study showed that the abnormal behavior is caused by the reverse recovery current of a parasitic diode and parasitic bipolar actions. A new level-shifter structure which suppresses the abnormal behavior was introduced and the noise immunity for the negative voltage noise was improved by more than 50%.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 31-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,473 Kバイト