パワー半導体デバイスの状態監視を目的とした入力容量Ciss-Vgs特性の測定機能を有するゲート駆動回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21048,SPC21138

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Gate Drive Circuit with Function to Measure Input Capacitance Ciss-Vgs Characteristics for the Purpose of Condition Monitoring of Power Semiconductor Devices

著者名: 林 真一郎(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学)

著者名(英語): Shin-Ichiro Hayashi(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 状態監視|ゲート駆動回路|ゲート酸化膜|長期信頼性|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|Condition monitoring|Gate drive circuit|Gate oxide|Long-term reliability|SiC MOSFET

要約(日本語): 本研究では，1.2 kV耐圧のSiC MOSFETを対象に，状態監視機能を有するゲート駆動回路を開発した。開発したゲート駆動回路は，SiC MOSFETの長期信頼性において課題となっているゲート酸化膜の劣化を検出するため，SiC MOSFETの入力容量を状態監視する機能を有している。開発したゲート駆動回路を用いて，スイッチング周波数20 kHzのゲート駆動と，状態監視機能による入力容量の測定を実験検証したので報告する。

要約(英語): In this study, a gate drive circuit with a condition monitoring function for SiC MOSFETs is developed. The developed gate drive circuit has the function of monitoring the input capacitance of SiC MOSFETs to detect the degradation of the gate oxide, which is an issue in the long-term reliability of SiC MOSFETs. In this paper, the experimental verification of the gate drive circuit with a switching frequency of 20 kHz and the measurement of the input capacitance by the condition monitoring function is reported.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 43-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,832 Kバイト