新コンタクト構造を持つ低SWロス600V RC-IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21054,SPC21144

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Low switching loss diode of 600V RC-IGBT with new contact structure

著者名: 鈴木 健司(三菱電機),吉田 拓弥(メルコセミコンダクタエンジニアリング),原口 友樹(三菱電機),纐纈 英典(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機)

著者名(英語): Kenji Suzuki(Mitsubishi Electric Corporation),Takuya Yoshida(Melco Semiconductor Engineering Corporation),Yuki Haraguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Hidenori Koketsu (Mitsubishi Electric Corporation),Atsushi Narazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＲＣ－ＩＧＢＴ|コンタクト構造|ダイオード特性|ＩＧＢＴ特性|破壊耐量|RC-IGBT|contact structure|diode characteristics|IGBT characteristics|robustness

要約(日本語): ウェハプロセスを大きく変えることなく，またIGBTの特性を劣化させることなく，低スイッチング損失ダイオードを持つ600V RC-IGBTを提案する。新RC-IGBTは，IGBT領域では従来のものと同じコンタクトを持ち，ダイオード領域ではメサ領域の側面にコンタクトを持つ。新RC-IGBTは、逆回復損失が少ないだけでなく、高VCC、高温といった過酷な環境下でも優れたロバスト性を満足します。

要約(英語): In this paper, low switching loss diode of 600V RC-IGBT is proposed without largely changing wafer process or deteriorating IGBT characteristics by device simulation and real RC-IGBT. New RC-IGBT has the same contact in the IGBT region as the conventional one and the different contact at the side of mesa region in the diode region which is fabricated by changing etching gas for the contact structure. New RC-IGBT has not only low reverse recovery loss but also excellent robustness in severe conditions of high VCC and high temperature.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,318 Kバイト