両面リソグラフィ技術を用いた3.3kV両面ゲートIGBT（BC-IGBT）

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21055,SPC21145

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): 3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology

著者名: 更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),附田 正則(九州工業大学),佐藤 克己(三菱電機),末代 知子(東芝デバイス&ストレージ),角嶋 邦之(東京工業大学),星井 拓也(東京工業大学),筒井 一生(東京工業大学),岩井 洋(東京工業大学),小椋 厚志(明治大学),齋藤 渉(九州大学)

著者名(英語): Takuya Saraya(The University of Tokyo),Kazuo Itou(The University of Tokyo),Toshihiko Takakura(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Shinichi Suzuki(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Masanori Tsu

キーワード: 絶縁ゲートバイポランジスタ|両面ゲート|両面リソグラフィ|スケーリング|ＩＥ効果|IGBT|Double Gate|Double Side Lithography|Scaling|Injection Enhancemen

要約(日本語): 従来手法による性能向上の限界を打ち破る両面ダブルゲート構造について、低コストかつ量産可能な製造手法を提案し、動作実証を行った。3.3kV-IGBTにおいて、裏面ゲートコントロールにより60%以上のターンオフ損失を実現した。この成果は、より高耐圧、高速スイッチング応用に向けたシリコンIGBTの可能性を示すものである。

要約(英語): Back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) is experimentally demonstrated. By using the back side MOS gate, more than 60% reduction of turn-off loss was achieved. A manufacturable process using double side lithography has been developed. BC-IGBT will provide a new technological option for expanding the frequency / voltage range of Si power devices.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 7-12 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,078 Kバイト